问题:硅外延生长工艺包括()。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度,生长压力,生长速度D、尾气的处理...
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问题:简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?...
问题:叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。...
问题:给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。...
问题:半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.()...
问题:解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。...
问题:钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。...
问题:半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。...
问题:例举并解释5个进行在线参数测试的理由。...
问题:解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化?...
问题:晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。()...
问题:延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。...
问题:低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()...
问题:对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?...
问题:光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。...
问题:有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?...
问题:简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。...
问题:哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。...
问题:光刻和刻蚀的目的是什么?...
问题:解释离子束扩展和空间电荷中和。...